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IXFN52N100X

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B

IXFN52N100X Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN52N100X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $39.60000 $39.6
10 $36.63000 $366.3
100 $31.28400 $3128.4
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 245 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6725 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRLR014PBF
IRLR014PBF
$0 $/Stück
G15N10C
G15N10C
$0 $/Stück
MCH6341-TL-H
MCH6341-TL-H
$0 $/Stück
APT9M100S
APT56F60L
SIHA12N50E-E3
NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/Stück

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