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IPP80R600P7XKSA1

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MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

nicht konform

IPP80R600P7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.88000 $1.88
10 $1.69600 $16.96
100 $1.36270 $136.27
500 $1.05990 $529.95
1,000 $0.87821 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 170µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570 pF @ 500 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHA12N50E-E3
NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/Stück
SIHFR9024TR-GE3
IRFR420TRRPBF
STP220N6F7
STP220N6F7
$0 $/Stück
IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF
$0 $/Stück
STD95N2LH5
STD95N2LH5
$0 $/Stück

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