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HUFA75623S3ST

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MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

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HUFA75623S3ST Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.81430 $651.44
32730 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 64mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFBE30SPBF
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STD95N2LH5
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FDC645N
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SI2303-TP
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BUK9637-100E,118
IXTH96N20P
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IXTA260N055T2
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