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IXTN60N50L2

IXTN60N50L2

IXTN60N50L2

IXYS

MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B

SOT-23

IXTN60N50L2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTN60N50L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $37.40000 $37.4
10 $34.59500 $345.95
30 $31.79000 $953.7
100 $29.54600 $2954.6
250 $27.11500 $6778.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 53A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 610 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 24000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 735W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SI2306BDS-T1-E3
APT12060LVFRG
IXFN20N120P
IXFN20N120P
$0 $/Stück
FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
NVHL082N65S3F
$0 $/Stück
STD3N40K3
STD3N40K3
$0 $/Stück

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