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SI2306BDS-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

nicht konform

SI2306BDS-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.5 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 305 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

APT12060LVFRG
IXFN20N120P
IXFN20N120P
$0 $/Stück
FDZ372NZ
NVHL082N65S3F
NVHL082N65S3F
$0 $/Stück
STD3N40K3
STD3N40K3
$0 $/Stück
APT10026L2LLG
BUK9511-55A,127
BUK9511-55A,127
$0 $/Stück

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