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SI2303-TP

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MOSFET P-CH 30V 3A SOT23

SI2303-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

SI2303-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07600 -
6,000 $0.06840 -
15,000 $0.06080 -
30,000 $0.05700 -
75,000 $0.05320 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 226 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK9637-100E,118
IXTH96N20P
IXTH96N20P
$0 $/Stück
IXTA260N055T2
IXTA260N055T2
$0 $/Stück
IXTN60N50L2
IXTN60N50L2
$0 $/Stück
SI2306BDS-T1-E3
APT12060LVFRG
IXFN20N120P
IXFN20N120P
$0 $/Stück

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