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IPU95R3K7P7AKMA1

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MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3

nicht konform

IPU95R3K7P7AKMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.16000 $1.16
10 $1.04200 $10.42
100 $0.83470 $83.47
500 $0.65960 $329.8
1,000 $0.53232 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 950 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 196 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 22W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

IRFBE30SPBF
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$0 $/Stück
STD95N2LH5
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$0 $/Stück
FDC645N
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$0 $/Stück
SI2303-TP
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$0 $/Stück
BUK9637-100E,118
IXTH96N20P
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$0 $/Stück
IXTA260N055T2
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