Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 950 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 3.7Ohm @ 800mA, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 3.5V @ 40µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 196 pF @ 400 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 22W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
Paket / Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.