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IPB50R140CPATMA1

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MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3

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IPB50R140CPATMA1 Preise und Bestellung

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1,000 $2.47709 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 550 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 930µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2540 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHA12N50E-E3
NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/Stück
SIHFR9024TR-GE3
IRFR420TRRPBF
STP220N6F7
STP220N6F7
$0 $/Stück
IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF
$0 $/Stück

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