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3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E

Sanyo

P-CHANNEL SILICON MOSFET

3LP01S-TL-E Technisches Datenblatt

nicht konform

3LP01S-TL-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.07000 $0.07
500 $0.0693 $34.65
1000 $0.0686 $68.6
1500 $0.0679 $101.85
2000 $0.0672 $134.4
2500 $0.0665 $166.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4V
rds ein (max) @ id, vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.43 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SMCP
Paket / Koffer SC-75, SOT-416
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Zugehörige Teilenummer

NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G
$0 $/Stück
DMP32D4S-13
DMPH3010LK3Q-13
IRLR3636TRPBF
FQD5N40TM
IRF7404TRPBF
IRFR024TRLPBF
SIHP6N80E-BE3
R8005ANJFRGTL

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