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STB100N10F7

STB100N10F7

STB100N10F7

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

STB100N10F7 Technisches Datenblatt

compliant

STB100N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.36196 -
2,000 $1.27803 -
5,000 $1.23606 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4369 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG
$0 $/Stück
IRF7580MTRPBF
BUK6607-55C,118
STP7N60M2
STP7N60M2
$0 $/Stück
STW63N65DM2
FQP44N08
SIS890DN-T1-GE3

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