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STB20N65M5

STB20N65M5

STB20N65M5

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

STB20N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STB20N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.73000 -
2,000 $1.65300 -
5,000 $1.59800 -
865 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1434 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQU2N90TU-WS
FQU2N90TU-WS
$0 $/Stück
FKV575
FKV575
$0 $/Stück
SQJ464EP-T2_GE3
IXTK102N65X2
IXTK102N65X2
$0 $/Stück
STF2HNK60Z
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$0 $/Stück
FDS86242
FDS86242
$0 $/Stück

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