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STB20NM60D

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MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

STB20NM60D Technisches Datenblatt

compliant

STB20NM60D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.63300 -
382 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXFK80N65X2
IXFK80N65X2
$0 $/Stück
SQ2310ES-T1_GE3
IXFR44N50P
IXFR44N50P
$0 $/Stück
FQB17N08TM
UJ4C075060K4S
UJ4C075060K4S
$0 $/Stück
BSP129L6906
IRFS240B
IPP80N06S2-09
FDN306P
FDN306P
$0 $/Stück

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