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STB24N60DM2

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STB24N60DM2

MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

STB24N60DM2 Technisches Datenblatt

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STB24N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.98950 -
2,000 $1.90095 -
5,000 $1.83770 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1055 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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