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STB28N60DM2

STB28N60DM2

STB28N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

SOT-23

STB28N60DM2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STB28N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.33890 -
2,000 $3.19029 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IPD60R600CP
FDB6670AS
PMV37ENEAR
PMV37ENEAR
$0 $/Stück
BUK9Y15-60E,115
FDP5800
FDP5800
$0 $/Stück
RM5N800T2
RM5N800T2
$0 $/Stück
STFH13N60M2

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