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FDP5800

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3

FDP5800 Technisches Datenblatt

compliant

FDP5800 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.02000 $3.02
10 $2.72400 $27.24
100 $2.18890 $218.89
800 $1.53709 $1229.672
1,600 $1.41062 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9160 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 242W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RM5N800T2
RM5N800T2
$0 $/Stück
STFH13N60M2
FDME510PZT
FDME510PZT
$0 $/Stück
STH110N10F7-2
FQI7P06TU
IXFN170N65X2
IXFN170N65X2
$0 $/Stück
IXFT70N65X3HV
IXFT70N65X3HV
$0 $/Stück
ZDX080N50
ZDX080N50
$0 $/Stück

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