Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDME510PZT

FDME510PZT

FDME510PZT

onsemi

MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET

FDME510PZT Technisches Datenblatt

compliant

FDME510PZT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.25245 -
10,000 $0.24310 -
25,000 $0.23800 -
1488 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1490 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paket / Koffer 6-PowerUFDFN
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STH110N10F7-2
FQI7P06TU
IXFN170N65X2
IXFN170N65X2
$0 $/Stück
IXFT70N65X3HV
IXFT70N65X3HV
$0 $/Stück
ZDX080N50
ZDX080N50
$0 $/Stück
SIHB065N60E-GE3
SI7884BDP-T1-E3
SQA410CEJW-T1_GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.