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SIHB065N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK

nicht konform

SIHB065N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.80000 $7.8
10 $7.05100 $70.51
100 $5.84560 $584.56
500 $4.94210 $2471.05
1,000 $4.33973 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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