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IPB240N03S4LR8ATMA1

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MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7

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IPB240N03S4LR8ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.97074 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 240A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.76mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 230µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 380 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 26000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

FDME510PZT
FDME510PZT
$0 $/Stück
STH110N10F7-2
FQI7P06TU
IXFN170N65X2
IXFN170N65X2
$0 $/Stück
IXFT70N65X3HV
IXFT70N65X3HV
$0 $/Stück
ZDX080N50
ZDX080N50
$0 $/Stück
SIHB065N60E-GE3
SI7884BDP-T1-E3
SQA410CEJW-T1_GE3

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