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STB33N60DM2

STB33N60DM2

STB33N60DM2

MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK

STB33N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STB33N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.46525 -
2,000 $2.35553 -
32 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1870 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/Stück
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/Stück
SQM120N03-1M5L_GE3
DMT6005LSS-13
HUF75623P3
FDN352AP
FDN352AP
$0 $/Stück
SQA411CEJW-T1_GE3
FDBL0260N100
FDBL0260N100
$0 $/Stück

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