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STB34NM60N

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MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

STB34NM60N Technisches Datenblatt

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STB34NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $4.60350 -
2,000 $4.43300 -
24 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2722 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUZ111S
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RM80N60DF
RM80N60DF
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STP6N62K3
STP6N62K3
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FDMS8680
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STW18NM60N
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BUK7575-100A,127
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C3M0025065J1
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