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STB76NF75

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MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

STB76NF75 Technisches Datenblatt

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STB76NF75 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.39084 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXFT12N100F
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IRLR3715
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IPD90N04S3-04
FQI13N50CTU
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