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SPB80N03S2L-04

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF740LC
IRF740LC
$0 $/Stück
SI7358ADP-T1-GE3
BUK7509-75A,127
2N7002K,215
2N7002K,215
$0 $/Stück
TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
$0 $/Stück
SI7123DN-T1-GE3
BUK9Y07-30B,115
PSMN6R1-25MLD,115

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