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TPH3206LDGB

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Transphorm

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

TPH3206LDGB Technisches Datenblatt

compliant

TPH3206LDGB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.80000 $10.8
10 $9.72000 $97.2
60 $8.85600 $531.36
120 $7.99200 $959.04
300 $7.34400 $2203.2
540 $6.69600 $3615.84
1,020 $6.04800 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±18V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 760 pF @ 480 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 81W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PQFN (8x8)
Paket / Koffer 3-PowerDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI7123DN-T1-GE3
BUK9Y07-30B,115
PSMN6R1-25MLD,115
BUK7Y12-80EX
BUK7624-55,118
BUK7624-55,118
$0 $/Stück
IRF7353D1TR
IRF6215PBF
IXTV102N20T
IXTV102N20T
$0 $/Stück
IRFBC20
IRFBC20
$0 $/Stück

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