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STB80N4F6AG

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STB80N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

STB80N4F6AG Technisches Datenblatt

compliant

STB80N4F6AG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.84640 -
2,000 $0.79580 -
5,000 $0.76038 -
10,000 $0.73508 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

MSC035SMA070S
FDV305N
FDV305N
$0 $/Stück
SIHF12N60E-E3
RS1E180BNTB
PMPB16XNEA115
DMT43M8LFV-7
RM24N200TI
RM24N200TI
$0 $/Stück

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