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STD11NM50N

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MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK

STD11NM50N Technisches Datenblatt

compliant

STD11NM50N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.15384 -
5,000 $1.11111 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 470mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 547 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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