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STD180N4F6

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STD180N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

STD180N4F6 Technisches Datenblatt

nicht konform

STD180N4F6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
637 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7735 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIA427DJ-T1-GE3
STL24N60M2
STL24N60M2
$0 $/Stück
FDN537N
FDN537N
$0 $/Stück
APT38M50J
STP13N60M2
STP13N60M2
$0 $/Stück
NTHL020N120SC1
NTHL020N120SC1
$0 $/Stück
HUF75542P3
HUF75542P3
$0 $/Stück

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