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STD2N95K5

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MOSFET N-CH 950V 2A DPAK

STD2N95K5 Technisches Datenblatt

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STD2N95K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.67470 -
5,000 $0.64467 -
12,500 $0.62322 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 950 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) 30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 105 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

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IXFT30N50Q3
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IRFI840GPBF
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