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STD4N52K3

STD4N52K3

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MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK

STD4N52K3 Technisches Datenblatt

compliant

STD4N52K3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.60550 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 525 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 334 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

HUF75639G3
HUF75639G3
$0 $/Stück
STH250N55F3-6
IRLU024PBF
IRLU024PBF
$0 $/Stück
SFT1445-H
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$0 $/Stück
STB42N65M5
STB42N65M5
$0 $/Stück
RFL1N15L
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$0 $/Stück
IXFP14N60P
IXFP14N60P
$0 $/Stück
DMT10H015LCG-13

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