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STD5N52K3

STD5N52K3

STD5N52K3

MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK

STD5N52K3 Technisches Datenblatt

compliant

STD5N52K3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.43890 -
5,000 $0.41696 -
12,500 $0.40128 -
25,000 $0.39900 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 525 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 545 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FQPF33N10L
PSMN034-100PS,127
FDFMJ2P023Z
STY145N65M5
SQ3418EV-T1_GE3
STP150N3LLH6
SSU1N50BTU
SQJ123ELP-T1_GE3
FQB19N20TM
FQB19N20TM
$0 $/Stück
RQ6E045BNTCR

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