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STD5N60DM2

STD5N60DM2

STD5N60DM2

MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK

STD5N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STD5N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.40698 -
5,000 $0.38190 -
12,500 $0.36936 -
25,000 $0.36252 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 375 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STD45NF75T4
AUIRF2805
IRFIBE30GPBF
IRFIBE30GPBF
$0 $/Stück
FQA36P15
FQA36P15
$0 $/Stück
IXTA06N120P-TRL
IXTA06N120P-TRL
$0 $/Stück
IRFBC40LPBF
IRFBC40LPBF
$0 $/Stück
SQM120P10_10M1LGE3
IRF9335TRPBF

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