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STD9N60M2

STD9N60M2

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MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK

STD9N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STD9N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.78715 -
5,000 $0.75212 -
12,500 $0.72709 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 780mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 320 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

DI040N03PT-AQ
IXFH70N20Q3
IXFH70N20Q3
$0 $/Stück
APT25M100J
IRL540STRLPBF
MSC100SM70JCU2
BUK9606-75B,118
FCP20N60
FCP20N60
$0 $/Stück
SIHH26N60EF-T1-GE3

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