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STD9NM50N

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MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

STD9NM50N Technisches Datenblatt

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STD9NM50N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.09148 -
5,000 $1.05105 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRFP054PBF
IRFP054PBF
$0 $/Stück
NVMFS5C442NWFET1G
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$0 $/Stück
SI4401DDY-T1-GE3
STF100N10F7
FDMC7660S
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$0 $/Stück
DMP3026SFDE-7

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