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STF16N60M2

STF16N60M2

STF16N60M2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP

STF16N60M2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STF16N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.23000 $2.23
50 $1.80120 $90.06
100 $1.62110 $162.11
500 $1.26088 $630.44
1,000 $1.04473 -
2,500 $0.97268 -
5,000 $0.93665 -
231 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STP16N65M5
STP16N65M5
$0 $/Stück
SI3424CDV-T1-GE3
IXFR140N20P
IXFR140N20P
$0 $/Stück
SIHB24N65E-E3
SI2319DDS-T1-GE3
SIS862ADN-T1-GE3

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