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STF25NM60ND

STF25NM60ND

STF25NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP

STF25NM60ND Technisches Datenblatt

compliant

STF25NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.07846 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2400 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFN21N100Q
IXFN21N100Q
$0 $/Stück
SI6467BDQ-T1-E3
ZVN4210GTC
SI4406DY-T1-GE3
SP001606042
IRF8707GTRPBF
STP100NF04
STP100NF04
$0 $/Stück

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