Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STL13N65M2

STL13N65M2

STL13N65M2

MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT

STL13N65M2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STL13N65M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.01338 -
6,000 $0.98010 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 475mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SQJ433EP-T1_BE3
SQS462EN-T1_GE3
STF57N65M5
STF57N65M5
$0 $/Stück
DMN3024LK3-13
STW9NK90Z
STW9NK90Z
$0 $/Stück
3LP01S-K-TL-E
3LP01S-K-TL-E
$0 $/Stück
PMN40LN,135
PMN40LN,135
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.