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STL18N65M5

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MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT

STL18N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STL18N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $2.64811 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1240 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IPA60R165CP
SI4058DY-T1-GE3
IXTA80N12T2
IXTA80N12T2
$0 $/Stück
FDD6676AS
FDD8896
FDD8896
$0 $/Stück
SI1499DH-T1-GE3
DMPH4013SK3-13

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