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STL285N4F7AG

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MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

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3,000 $1.64485 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

NDT014L
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2N7002KQ-13
SQJA60EP-T1_BE3
FDD6680AS
FDMS86252
FDMS86252
$0 $/Stück
MCQ12N10Y-TP
NTLJS2103PTAG
NTLJS2103PTAG
$0 $/Stück

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