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STL35N6F3

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MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT

STL35N6F3 Technisches Datenblatt

compliant

STL35N6F3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 80W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXTH20N60
IXTH20N60
$0 $/Stück
STD8NM60N
STD8NM60N
$0 $/Stück
STB78NF55-08
SPB35N10
IRL3715Z
PH1955L,115
PH1955L,115
$0 $/Stück
IRF540STRL
IRF540STRL
$0 $/Stück
2SK4209
2SK4209
$0 $/Stück

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