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STL45N65M5

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MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT

STL45N65M5 Technisches Datenblatt

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STL45N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $5.03360 -
2 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 86mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3470 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFLAT™ (8x8)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

CSD19538Q2T
CSD19538Q2T
$0 $/Stück
IXTQ22N50P
IXTQ22N50P
$0 $/Stück
SPP80N06S209
RQ6P015SPTR
BUK7M20-40HX
FDS3672
FDS3672
$0 $/Stück
MCQ12N06-TP
STW40N95K5
STW40N95K5
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