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STL58N3LLH5

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MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT

STL58N3LLH5 Technisches Datenblatt

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STL58N3LLH5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.51590 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 64A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) +22V, -20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI3458BDV-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3
FQU20N06LTU
FQU20N06LTU
$0 $/Stück
IRFF232
IRFF232
$0 $/Stück
HUFA75344G3
NTD4858NAT4G
NTD4858NAT4G
$0 $/Stück

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