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STL5N80K5

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MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV

STL5N80K5 Technisches Datenblatt

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STL5N80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.83040 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 177 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) VHV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STB33N60DM6
DMP6110SSDQ-13
APT6010LLLG
RU1C001UNTCL
STW8N90K5
STW8N90K5
$0 $/Stück
STW32N65M5
STW32N65M5
$0 $/Stück
STB24N60DM2
SI7862ADP-T1-GE3
PSMN4R5-40BS,118

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