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STL7N60M2

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MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT

STL7N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STL7N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.75947 -
6,000 $0.72567 -
15,000 $0.70152 -
300 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 271 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 67W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFLAT™ (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

2SK3816-DL-1E
2SK3816-DL-1E
$0 $/Stück
NTTFS4C25NTAG
NTTFS4C25NTAG
$0 $/Stück
IXFH15N60
IXFH15N60
$0 $/Stück
SQJ152EP-T1_GE3
2SK3018T106
STB80NF55-08AG
PSMN009-100P,127

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