Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STL8N6F7

STL8N6F7

STL8N6F7

MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT

STL8N6F7 Technisches Datenblatt

compliant

STL8N6F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.26796 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

2SK4125
2SK4125
$0 $/Stück
FDS3682_NL
NTR5198NLT1G
NTR5198NLT1G
$0 $/Stück
IRFW550ATM
SI7634BDP-T1-GE3
FDN8601
FDN8601
$0 $/Stück
DI050N04PT
SI2301CDS-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.