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STN1NK80Z

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MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223

STN1NK80Z Technisches Datenblatt

compliant

STN1NK80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.51900 -
8,000 $0.49590 -
12,000 $0.47940 -
1050 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

FDP8N50NZ
FDP8N50NZ
$0 $/Stück
APT14M100S
FDC855N
FDC855N
$0 $/Stück
FDD86326
FDD86326
$0 $/Stück
ZVN4206AVSTZ
IXTA3N110-TRL
IXTA3N110-TRL
$0 $/Stück
FQP3N30
FQP3N30
$0 $/Stück

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