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STO65N60DM6

STO65N60DM6

STO65N60DM6

N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4

STO65N60DM6 Technisches Datenblatt

compliant

STO65N60DM6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.29000 $7.29
500 $7.2171 $3608.55
1000 $7.1442 $7144.2
1500 $7.0713 $10606.95
2000 $6.9984 $13996.8
2500 $6.9255 $17313.75
10 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 76mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TOLL (HV)
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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