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STP100N10F7

STP100N10F7

STP100N10F7

MOSFET N CH 100V 80A TO-220

STP100N10F7 Technisches Datenblatt

compliant

STP100N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.88000 $2.88
50 $2.35200 $117.6
100 $2.13200 $213.2
500 $1.69200 $846
1,000 $1.42800 -
2,500 $1.34000 -
5,000 $1.29600 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4369 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHB6N65E-GE3
PMPB50ENEA115
NXV55UNR
NXV55UNR
$0 $/Stück
SPI08N80C3
IRFIZ34GPBF
IRFIZ34GPBF
$0 $/Stück
NTE2374
NTE2374
$0 $/Stück
STU1HN60K3
STU1HN60K3
$0 $/Stück
SI2318A-TP
SISS04DN-T1-GE3

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