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SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK

compliant

SISS04DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.73062 -
6,000 $0.69632 -
15,000 $0.67181 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4460 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

HUF75343G3
BUK7222-55A,118
SIDR392DP-T1-GE3
FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
$0 $/Stück
STP13NM60N
STP13NM60N
$0 $/Stück
IXFR18N90P
IXFR18N90P
$0 $/Stück
SQ2308CES-T1_BE3
SUD40N08-16-E3
FDS7088N7

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