Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK

compliant

SIDR392DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.30309 -
6,000 $1.25483 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 82A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9530 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
$0 $/Stück
STP13NM60N
STP13NM60N
$0 $/Stück
IXFR18N90P
IXFR18N90P
$0 $/Stück
SQ2308CES-T1_BE3
SUD40N08-16-E3
FDS7088N7
PMPB215ENEA/FX
STP9NK50ZFP
DMP3018SFK-7

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.