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STP10N80K5

STP10N80K5

STP10N80K5

MOSFET N-CH 800V 9A TO220

STP10N80K5 Technisches Datenblatt

compliant

STP10N80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.09212 $2.09212
500 $2.0711988 $1035.5994
1000 $2.0502776 $2050.2776
1500 $2.0293564 $3044.0346
2000 $2.0084352 $4016.8704
2500 $1.987514 $4968.785
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 635 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIA441DJ-T1-GE3
PSMN2R0-60PSRQ
NTMFS6H818NT1G
NTMFS6H818NT1G
$0 $/Stück
IRFU3910PBF
FDD16AN08A0
FDD16AN08A0
$0 $/Stück
RXH100N03TB1

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