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STP12N120K5

STP12N120K5

STP12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO220

STP12N120K5 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP12N120K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.33000 $11.33
50 $9.42540 $471.27
100 $8.57740 $857.74
500 $7.30524 $3652.62
1,000 $6.45713 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 690mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1370 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHG32N50D-GE3
SIRC18DP-T1-GE3
NVMFS5C682NLWFAFT3G
NVMFS5C682NLWFAFT3G
$0 $/Stück
STB75N06HDT4
STB75N06HDT4
$0 $/Stück
IRL520PBF-BE3
IXTN240N075L2
IXTN240N075L2
$0 $/Stück
BUK6C3R3-75C,118
FQB30N06LTM
FQB30N06LTM
$0 $/Stück

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